Изготавливается в металлокерамическом DIP-корпусе 2101.8-7 и малогабаритном кристаллодержателе КТ-22, предназначенном для использования в составе ГИС.

Параметры:

• Широкая полоса пропускания: 750 МГц
• Высокая скорость нарастания: 2500 В/мкс
• Большой выходной ток: 100 мА
• Малое время установления (0,1%): 20 нс
• Диапазон рабочих температур: -60 ... +85 °С