Лавинные фотодиоды на основе InGaAs и Si
Общая информация
APD отличается от обычного фотодиода внутренним усилением сигнала за счёт эффекта лавинного умножения.
Характеристики для ЛФД на основе InGaAs:
- Корпус - ТО-5 и ТО-46
- Диаметр фоточувствительной площадки: 0,2 мм.
- Спектральный диапазон
- λ, мкм: 0,9-1,8
- Длина волны пика относительной спектральной характеристики чувствительности λ, мкм: 1,6
- Напряжение пробоя Uпроб., В: 41,92
- (Iпроб = 10 мкА);
- Коэффициент умножения
- М, отн.ед.: 29,15 (Uпроб. – 1В, P = 1 мкВт)
- Темновой ток Id, нA: 3,8 (М = 10)
- Ампер-Ваттная чувствительность
- S, А/Вт: 0,92 (λ = 1,55 мкм)
- Ширина полосы пропускания f, ГГц: 0,7
- Ёмкость C, пФ: 2,6 (Uсмещ = -34В, f = 1 МГц)
Местоположение
г. Москва, ул. Брянская д.5
Реализация объекта
Ссылка на извещение
https://pcat.ru/От того же пользователя:
Объявлений пока нет
