Лавинные фотодиоды на основе InGaAs и Si

Общая информация

APD отличается от обычного фотодиода внутренним усилением сигнала за счёт эффекта лавинного умножения. 


Характеристики для ЛФД на основе InGaAs:

  • Корпус - ТО-5 и ТО-46
  •  Диаметр фоточувствительной площадки: 0,2 мм.
  •  Спектральный диапазон
  •  λ, мкм: 0,9-1,8
  •  Длина волны пика относительной спектральной характеристики чувствительности λ, мкм: 1,6
  •  Напряжение пробоя Uпроб., В: 41,92 
  •  (Iпроб = 10 мкА);
  •  Коэффициент умножения
  •  М, отн.ед.: 29,15 (Uпроб. – 1В, P = 1 мкВт)
  •  Темновой ток Id, нA: 3,8 (М = 10)
  •  Ампер-Ваттная чувствительность 
  •  S, А/Вт: 0,92 (λ = 1,55 мкм)
  •  Ширина полосы пропускания f, ГГц: 0,7
  •  Ёмкость C, пФ: 2,6 (Uсмещ = -34В, f = 1 МГц)


Местоположение

г. Москва, ул. Брянская д.5

Реализация объекта

Ссылка на извещение

https://pcat.ru/

От того же пользователя:

Объявлений пока нет