Лавинные фотодиоды на основе InGaAs и Si
Лавинные фотодиоды на основе InGaAs и Si
Общая информация
APD отличается от обычного фотодиода внутренним усилением сигнала за счёт эффекта лавинного умножения.
Характеристики для ЛФД на основе InGaAs:
Местоположение
г. Москва, ул. Брянская д.5
Реализация объекта
Ссылка на извещение
https://pcat.ru/От того же пользователя:
Объявлений пока нет