APD отличается от обычного фотодиода внутренним усилением сигнала за счёт эффекта лавинного умножения. 

Характеристики для ЛФД на основе Si:

• Корпус - ТО-5
•  Диаметр фоточувствительной площадки - 0,5 мм.
•  Спектральный диапазон
•  λ, мкм: 0,4-1,1;
•  Длина волны пика относительной спектральной характеристики чувствительности λ, мкм: 0,84
•  Напряжение пробоя Uпроб., В: 163,82 
•  (Iпроб = 10 мкА)
•  Коэффициент умножения
•  М, отн.ед.: 132,04 (0,9•Uпроб, P = 1 мкВт);
•  Темновой ток Id, нA: 1,0 (М = 10);
•  Ампер-Ваттная чувствительность 
•  S, А/Вт: 50 (λ = 0,905 мкм);
•  Ширина полосы пропускания f, ГГц: 0,6;
•  Ёмкость C, пФ: 1,6 (Uсмещ = -120В, f = 1 МГц)