Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе.

Параметры:

• Обратный ток коллектора, мкА, не более - 1000
•  Обратный ток эмиттера, мкА, не более - 200
•  Емкость коллекторного перехода, пФ, не более - 1,5
•  Коэффициент усиления по мощности, не менее - 3 (медиан. знач.)
•  Выходная мощность, мВт, не менее - 40
•  Максимально допустимый постоянный ток коллектора, мА - 60
•  Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В -18
•  Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В - 2
•  Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт - 420
•  Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, мВт - 600